Wieloprzebiegowe testy krokowe pamięci ram
- Ireneusz MROZEK
- Kategoria: Pozostałe zagadnienia
Tradycyjne testy pamięci oparte o pojedynczy przebieg posiadają stałą i dość niską wydajność w odniesieniu do uszkodzeń uwarunkowanych zawartością (PSF). Celem zwiększenia tej wydajności stosuje się m.in. testowanie wieloprzebiegowe w których ten sam test bazowy realizowany jest wielokrotnie przy zmienianych warunkach początkowych. W artykule uwaga skupiona zostanie na porównaniu różnych testów krokowych i możliwości ich wykorzystania w technice testowania wieloprzebiegowego. Porównanie to oparte będzie o zdefiniowany współczynnik ważonej wydajności testów pozwalający w bardziej obiektywny sposób określić wydajność testu.
Jednym z najbardziej widocznych dzisiaj przejawów gigantycznego postępu naukowotechnicznego jest stopień rozwoju elektroniki cyfrowej. Jednym z efektów tego rozwoju, a może bardziej jego przyczyną, jest wciąż rosnące zapotrzebowanie na szeroko rozumiane systemy cyfrowe. Nierozerwalnie z elektroniką cyfrową związane są pamięci półprzewodnikowe DRAM, SRAM, ROM, EPROM itd. Praktyka pokazuje, iż pamięć zajmuje ponad 50% całej powierzchni krzemowej układu SoC (ang. System on a Chip), a prognozuje się, iż w najbliższym czasie wielkość ta wzrośnie do 90% [1]. Statystycznie około 70% wszystkich uszkodzeń w systemach cyfrowych spowodowane jest uszkodzeniami pamięci. (...)
Artykuł zawiera 24082 znaków.
Źródło: Czasopismo Logistyka
Zaloguj się by skomentować